Новости → Новые N-канальные MOSFET-транзисторы от Fairchild Semiconductor

23 августа 2007 | Просмотров: 3279

novye_nkanalnye_mosfettranzistory_ot_fairchild_semiconductor Компания Fairchild Semiconductor представляет новое семейство N-канальных MOSFET-транзисторов с высоким КПД, которые имеют защиту от электростатического разряда напряжением до 8 кВ - на 90% больше, чем у существующих транзисторов. Устройства семейства FDS881XNZ подходят для схем защиты батарей в таких электронных приборах как ноутбуки и мобильные телефоны. Они производятся по технологии Power Trench® и имеют низкое сопротивление сток-исток во включенном состоянии, благодаря чему уменьшаются потери на проводимость и увеличивается время работы устройств от батарей. В частности, модель FDS8812NZ имеет сопротивление во включенном состоянии R_DS(_ON) менее 5 мОм.

Основные преимущества изделий семейства FDS881XNZ:

Низкое значение сопротивления R_DS₍_ON) способствует высокому КПД и увеличению времени работы батарей.
Встроенный диод для защиты от электростатического разряда обеспечивает защиту до 8 кВ.
Защита от бросков напряжения благодаря высоким значениям лавинного тока и максимального тока для исключения высоких уровней напряжения на выходе защитных схем.

N-канальные MOSFET-транзисторы выпускаются в стандартном корпусе типа SO8.

Оцените схему:

Распечатать

Другие схемы:

Fairchild выпускает новые силовые ключи

Новые переключатели нагрузки от Fairchild Semiconductor

Высокоскоростные драйверы затворов от Fairchild

Силовой микроомный MOSFET транзистор от STM

Силовые модули от Fairchild Semiconductor

Советуем: Детекторы лжи тут. Детектор лжи, проверка персонала.